Транзистор HYG060N08NS1P

HYG060N08NS1P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: HYG060N08NS1P

Маркировка: G060N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 105 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 48 nC

Время нарастания (tr): 55 ns

Выходная емкость (Cd): 1190 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm

Тип корпуса: TO220

Datasheet https://alltransistors.com/adv/pdfview.php?doc=hyg060n08ns1p_hyg060n08ns1b.pdf&dire=_hymexa